–
Статьи в журналах
-
- 2005 Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различной мощности накачки” (статья
- Рогозин В.А., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Белов А.А., Карузский А.Л., Perestoronin A.V., Здоровейщев А.В.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 39, № 11, с. 1354-1358