Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Gorol’chuk I.G.
Gorol’chuk I.G.
IstinaResearcherID (IRID): 44365728
–

Статьи в журналах

    • 1991 Low temperature electrical conductivity of heavily doped Si
    • Abramov V.V., Brandt N.B., Kul’bachinskii V.A., Timofeev A.B., Ul’yashin A.G., Shlopak N.V., Gorol’chuk I.G.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 25, № 3, с. 310-312

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь