Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Fetisov S.
Fetisov S.
IstinaResearcherID (IRID): 4865522
Статьи в журналах Доклады на научных конференциях
–

Статьи в журналах

    • 2016 Possible Reasons of Lorentz Force Direction Influence on Anisotropy of 2G HTS Tapes Critical Currents
    • Sotnikov Dmitry V., Fetisov Sergey S., Radchenko Irlama P., Chepikov Vsevolod N., Samoilenkov Sergey V., Bykovsky Dmitry P., Vysotsky Vitaly S.
    • в журнале IEEE Transactions on Applied Superconductivity, издательство Institute of Electrical and Electronics Engineers (Piscataway, NJ, United States), том 26, № 3, с. 1-4 DOI
    • 2014 Development and production of second generation high Tc superconducting tapes at SuperOx and first tests of model cables
    • Lee S., Petrykin V., Molodyk A., Samoilenkov S., Kaul A., Vavilov A., Vysotsky V., Fetisov S.
    • в журнале Superconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 27, № 4, с. 1-9

Доклады на научных конференциях

    • 2013 Development and Production of Second Generation High Tc Superconducting Tapes in SuperOx and First Tests of Model Devices
    • Авторы: Lee S., Petrykin V., Samoilenkov S., Kaul A., Vavilov A., Vysotsky V., Fetisov S.
    • 11th European Conference on Applied Superconductivity, EUCAS 2013, Генуя, Италия, 15-19 сентября 2013

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь