Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Ignatkina R.S.
Ignatkina R.S.
IstinaResearcherID (IRID): 50964635
–

Статьи в журналах

    • 1978 Излучательные переходы в твердых растворах In(1-x)GaxP(1-x)As
    • Ермаков О.Н., Игнаткина Р.С., Сушков В.П., Чукичев М.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 12, № 4, с. 678-682
    • 1978 RADIATIVE TRANSITIONS IN LN1-XGAXP1-ZASZ SOLID-SOLUTIONS
    • Yermakov O.N., Ignatkina R.S., Sushkov V.P., Chukichev M.V.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 12, № 4, с. 395-397
    • 1977 Люминесцентные свойства слоев In(1-x)GaxP (0.6 ≤ х ≤ 0.7, полученных жидкостной эпитаксией на подложках GaAs (1-у)Pу
    • Ермаков О.Н., Игнаткина Р.С., Сушков В.П., Чукичев М.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 11, № 6, с. 1102-1107

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь