–
Статьи в журналах
-
- 1979 Образование промежуточного слоя при эпитаксиальном наращивании твердых растворов In(1-x)GaxP на подложках арсенида галлия
- Батырев Н.И., Уфимцев В.Б., Чукичев М.В.
- в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 24, № 2, с. 338-342
Статьи в сборниках
-
- 1996 GdVO 4 crystals with Nd3$\mathplus$, Tm3$\mathplus$, Ho3$\mathplus$, and Er3$\mathplus$ions for diode-pumped microchip laser
- Zagumennyi Alexander I., Zavartsev Yury D., Studenikin Pavel A., Shcherbakov Ivan A., Umyskov Alexander F., Popov Pavel A., Ufimtsev Vsevolod B.
- в сборнике Solid State Lasers V, место издания SPIE DOI