Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Gilmutdinov A.M.
Gilmutdinov A.M.
IstinaResearcherID (IRID): 567350
–

Статьи в журналах

    • 2002 Microstructure and electrophysical properties of SnO2, ZnO and In2O3 nanocrystalline films prepared by reactive magnetron sputtering
    • Ryzhikov A.S., Vasiliev R.B., Rumyantseva M.N., Ryabova L.I., Dosovitsky G.A., Gilmutdinov A.M., Kozlovsky V.F., Gaskov A.M.
    • в журнале Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 96, № 3, с. 268-274 DOI

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь