Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Hutchby J.A.
Hutchby J.A.
IstinaResearcherID (IRID): 5814417
–

Статьи в сборниках

    • 2003 Tunneling conductivity in thermally oxidized porous silicon
    • Yarkin D.G., Balagurov L.A., Orlov A.F., Zvyagin I.P., Gregorkiewicz T., Elliman R.G., Fauchet P.M., Hutchby J.A.
    • в сборнике Optoelectronics of Group-IV-Based Materials, серия MRS Proceedings, том 770, с. 37-42

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь