Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Dehdashti Nima
Dehdashti Nima
IstinaResearcherID (IRID): 599298871
–

Статьи в сборниках

    • 2010 Back-gate mirror doping for fully depleted planar SOI transistors with thin buried oxide
    • Yan Ran, Duane Russell, Razavi Pedram, Afzalian Arvan, Ferain Isabelle, Lee Chi-Woo, Dehdashti Nima, Nguten Bich-Yen, Bourdelle Konstantin K., Colinge J.P.
    • в сборнике Proceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application, место издания IEEE DOI

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь