Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Doublet M.L.
Doublet M.L.
IstinaResearcherID (IRID): 9024097
–

Статьи в журналах

    • 2015 Origin of voltage decay in high-capacity layered oxide electrodes
    • Sathiya M., Abakumov A.M., Foix D., Rousse G., Ramesha K., Saubanère M., Doublet M.L., Vezin H., Laisa C.P., Prakash A.S., Gonbeau D., Van Tendeloo G., J-M Tarascon
    • в журнале Nature Materials, издательство Nature Publishing Group (United Kingdom), том 14, с. 230-238 DOI
    • 1996 Electronic Structures of the a-(BEDT-TTF)2 [MHg(XCN)4] (M=Tl, K, NH4 , X=S, Se) and related phases. Synthesis and crystal structure of the new stable organic metal a-(BEDT-TTF)2 TlHgSe(1-x)SxCN4(x=0.125)
    • ROUSSEAU R., SHIBAEVA R.P., KHASANOV S.S., ROZONBERG L.P., KUSHCH N.D., YAGUBSKII E.B., VAN K.V., DOUBLET M.L., CANADELL E.
    • в журнале Journal of Physics France, № 6, с. 1527-1553 DOI

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь