|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
THE THEORETICAL AND EXPERIMENTAL-STUDY OF LARGE APERTURE LOW-ENERGY E-BEAM SOURCE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSINGстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: KOVALEV AS, MANKELEVICH YA, MURATOV EA, RAKHIMOV AT, SUETIN NV
- Журнал: Journal of Vacuum Science and Technology A
- Том: 10
- Номер: 4
- Год издания: 1992
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 1086
- Последняя страница: 1091
- DOI: 10.1116/1.578206
- Аннотация: Experimental and theoretical examination of the large aperture low energy electron beam source based on the design of a direct-current (dc) open discharge is made. This source has been tested as the etching system for both the monocrystal Si and the photoresist under the different gas mixtures. This dc system appears to be used to treat insulators. The numerical model to simulate plasma processes in the considered system is developed. Results of model simulation are compared with the experimental data.
- Добавил в систему: Манкелевич Юрий Александрович