Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Влияние уровня легирования на вызванное освещением изменение темновой проводимости a-Si:H (As)
тезисы доклада
Авторы:
Казанский А.Г.
, Литвак Е.В.
Сборник:
Тезисы докладов “Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000)
Тезисы
Год издания:
2000
Место издания:
Москва
Первая страница:
344
Последняя страница:
344
Добавил в систему:
Казанский Андрей Георгиевич