|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Влияние уровня легирования на вызванное освещением изменение темновой проводимости a-Si:H (As)тезисы доклада
- Авторы: Казанский А.Г., Литвак Е.В.
- Сборник: Тезисы докладов “Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000)
- Тезисы
- Год издания: 2000
- Место издания: Москва
- Первая страница: 344
- Последняя страница: 344
- Добавил в систему: Казанский Андрей Георгиевич