Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Тезисы докладов “Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000)
сборник
Год издания:
2000
Место издания:
Москва
Сборник тезисов
Добавил в систему:
Казанский Андрей Георгиевич
Статьи, опубликованные в сборнике
2000
Влияние уровня легирования на вызванное освещением изменение темновой проводимости a-Si:H (As)
Казанский А.Г.
, Литвак Е.В.
в сборнике
Тезисы докладов “Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000)
, место издания
Москва
, тезисы, с. 344-344
2000
Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния, компенсированного бором
Казанский А.Г.
, Мелл Х., Теруков Е.И.,
Форш П.А.
в сборнике
Тезисы докладов “Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000)
, место издания
Москва
, тезисы, с. 346-346