|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторахстатья Исследовательская статья
- Авторы: Kozhukhov M.V., Mukhametdinova A.R.
- Журнал: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем МЭС
- Том: 4
- Год издания: 2021
- Издательство: Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 81
- Последняя страница: 85
- DOI: 10.31114/2078-7707-2021-4-81-85
- Аннотация: В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE-модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при различных режимах работы транзистора. В работе представлены результаты сравнения измеренных данных и результатов моделирования. Расхождение экспериментальных данных и результатов моделирования составляет не более 5-10% для статических характеристик SiGe ГБТ. Кроме того, разработана и представлена методика экстракции дополнительных параметров SPICE-макромодели, описывающих влияние горячих носителей заряда.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович