Reliability study in capacitor less 1T-RAM cells on SOI - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Reliability study in capacitor less 1T-RAM cells on SOIстатья

Авторы: Aoulaiche M., Collaert N., Simoen E., Mercha A., De Wachter B., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Boedt F., Delprat D., Jurczak M., Altimime L.
Сборник: 2010 IEEE International SOI Conference (SOI)
Год издания: 2010
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/soi.2010.5641377
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович