|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследование электрофизических свойств p–n+-перехода с помощью моделирования в декартовой и цилиндрической системах координатстатья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 июля 2024 г.
- Автор: Лагунович Н.Л.
- Журнал: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем МЭС
- Номер: 1
- Год издания: 2021
- Издательство: Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 33
- Последняя страница: 38
- DOI: 10.31114/2078-7707-2021-1-33-38
- Аннотация: Основной целью данной работы было выполнение двухмерного моделирования перехода p-n+ -типа в кремнии как в декартовой (прямоугольной), так и в цилиндрической системах координат. Для выполнения приборного моделирования исследованного перехода в указанных системах координат необходимо было предварительно получить структуру перехода, для чего было выполнено его двухмерное технологическое моделирование с помощью программы TSuprem4, которая является частью программного комплекса фирмы Synopsys. По результатам технологического моделирования были определены значения конструктивнотехнологических параметров исследуемой структуры p-п+-перехода. Приборное моделирование как в декартовой, так и в цилиндрической системах координат было осуществлено с использованием программы для двухмерного моделирования электрических характеристик прибора Medici, также являющейся составной частью комплекса фирмы Synopsys. Приборное моделирование позволило оценить значения некоторых электрофизических параметров перехода и построить его пробивные характеристики как для случая моделирования в декартовой, так и для случая моделирования в цилиндрической системах координат. Сравнительный анализ результатов приборно-технологического моделирования показал, что для рассматриваемого p-n -перехода разница в значениях технологических и электрофизических параметров при расчётах в декартовой и цилиндрической системах координат незначительна, составляет от 2.6% до 7.4% для технологического моделирования и 1 1.5% для приборного моделирования, и ей можно пренебречь. Следовательно, рассматриваемую структуру можно моделировать в обеих системах координат с достаточно высокой степенью точности.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна