|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследование электрофизических свойств излучающих GaAs-, GaP- и Al0,3Ga0,7As – p–n-структур с помощью моделированиястатья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 июля 2024 г.
- Автор: Лагунович Н.Л.
- Журнал: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем МЭС
- Номер: 1
- Год издания: 2022
- Издательство: Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 14
- Последняя страница: 20
- DOI: 10.31114/2078-7707-2022-1-14-20
- Аннотация: Целью данной работы были разработка одномерных моделей структур с p-n-переходом, получаемых на основе GaAs, GaP и Al0.3Ga0.7As, и исследование их электрофизических свойств и излучательных характеристик методом моделирования. Выполнено приборное моделирование таких структур с помощью разработанной автором программы MOD-1D, которая дала возможность рассчитать и построить зависимости интенсивности излучения исследуемых диодных структур от координаты и получить зависимости положения максимума интенсивности их излучения от напряжения, прикладываемого к p-n-переходу. Установлено, что при низких уровнях инжекции максимум интенсивности излучения смещается от границы p-n-перехода в область с более высоким уровнем концентрации примеси, а в условиях высокого уровня инжекции с ростом напряжения смещения, прикладываемого к p-n-переходу, дальнейшее смещение максимума интенсивности излучения почти прекращается и становится незначительным.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна