Статьи в журналах
Статьи в сборниках
Тезисы докладов
Книги
Доклады на научных конференциях
Диссертации
–
Статьи в журналах
-
- 2023 Terahertz photoconductive antennas based on silicon-doped GaAs (111) A
- Klimov Evgeniy, Klochkov Aleksey, Solyankin Petr, Pushkarev Sergei, Galiev Galib, Yuzeeva Nataliya, Shkurinov Aleksandr
- в журнале International Journal of Modern Physics B, издательство World Scientific Publishing Co (Singapore), с. 2450378 DOI
-
- 2016 Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content
- Yuzeeva N.A., Sorokoumova A.V., Lunin R.A., Oveshnikov L.N., Galiev G.B., Klimov E.A., Lavruchin D.V., Kulbachinskii V.A.
- в журнале Journal of Low Temperature Physics, издательство Springer Verlag (Germany), том 185, с. 701-706 DOI
-
- 2015 Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах n0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24 As/In0.70Al0.30As на подложках GaAs
- Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Мальцев П.П.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 49, № 7, с. 942-950
-
- 2015 Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs
- Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 49, № 2, с. 204-213
-
- 2015 Experimental determination of the subband electron effective mass in InGaAs/InAlAs HEMT - structures by the Shubnikov – de Haas effect at two temperatures
- Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
- в журнале Physics procedia, издательство Elsevier (United States), том 72, с. 425-430 DOI
-
- 2015 Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As structures on GaAs substrates
- Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Pushkarev S.S., Maltsev P.P.
- в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 7, с. 921-929 DOI
-
- 2015 Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In (x) Ga1-x As quantum well with InAs inserts
- Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
- в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 2, с. 199-208 DOI
-
- 2014 Shubnikov de_Haas Effect and Electron Mobilities in the Isomorphic InGaAs Quantum Well With the InAs Insert on the InP Substrate
- Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A.
- в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 568, с. 052013-1-052013-5 DOI
-
- 2013 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53 Ga0.47 As на InP
- Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.
- в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 143, № 5, с. 872-876
-
- 2013 Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP
- Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 47, № 7, с. 927-934
-
- 2013 Electron mobilities in isomorphic In0.53Ga0.47As quantum wells on InP substrates
- Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
- в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 116, № 5, с. 755-759 DOI
-
- 2013 Persistent photoconductivity and electron mobility in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP quantum-well structures
- Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasilievskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
- в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 7, с. 935-942 DOI
-
- 2013 Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP Substrate
- Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- в журнале Acta Physica Polonica A, издательство Polska Akademia Nauk (Poland), том 123, № 2, с. 345-348 DOI
-
- 2013 Влияние вставок арсенида индия на подвижности двумерных электронов в квантовых ямах индий-галлий-мышьяк, выращенных на подложках фосфида индия
- Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Лунин Р.А., Овешников Л.Н.
- в журнале Фундаментальные исследования, издательство Акад. естествознания (Пенза), том 4, № 4, с. 853-857
-
- 2012 Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
- Ponomarev D.S., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Uzeeva N.A.
- в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 4, с. 484-490 DOI
-
- 2012 Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
- Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Каргин Н.И., Стриханов М.Н.
- в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
-
- 2012 Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts
- Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S., Khabibullin R.A., Ponomarev D.S.
- в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 27, с. 035021-1-035021-5
-
- 2012 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
- Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 46, № 4, с. 500-506
-
- 2011 Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
- Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Gladkov V.P., Kulbachinskii V.A., Klochkov A.N., Uzeeva N.A.
- в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 5, с. 657-662
-
- 2011 Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
- Хабибуллин Р.А., Васильевский, Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 45, № 5, с. 666-671
-
- 2010 Аномальное увеличение термоэдс и термоэлектрической эффективности в легированных Ga монокристаллах р-(Bi0.5Sb0.5)2Te3
- Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Тарасов П.М., Юзеева Н.А.
- в журнале Физика твердого тела, издательство Наука (СПб.), том 52, № 9, с. 1707-1711
-
- 2010 Anomalous increase of the thermopower and thermoelectric figure of merit in Ga-doped p-(Bi0.5Sb0.5)(2)Te-3 single crystals
- Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Tarasov P.M., Yuzeeva N.A.
- в журнале Physics of the Solid State, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 52, № 9, с. 1830-1835 DOI
Статьи в сборниках
-
- 2014 Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
- Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
- в сборнике Proceedings, 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, June 23-27, St. Petersburg, место издания A.I. Ioffe Institute Saint Petersburg, с. 39-40
-
- 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
- Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- в сборнике Proceedings, 20th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 26 July - 1 June 2012, NNovgorod, место издания Nizhny Novgorod, с. 199-200
Тезисы докладов
-
- 2015 Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале
- Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С.
- в сборнике Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2015», место издания Ершово, тезисы, с. 262
-
- 2015 Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In
- Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
- в сборнике XXXVII Совещание по физике низких температур, место издания Издательство Казанского университета Казань, тезисы, с. 219
-
- 2014 Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
- Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Климов Е.А., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А.
- в сборнике XII Курчатовская молодежная научная школа, место издания НИЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 87-87
-
- 2014 Особенности транспорта в метаморфных HEMT-структурах на подложках GaAs
- Овешников Л.Н., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
- в сборнике XII Курчатовская молодежная научная школа, место издания НИЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 79-79
-
- 2014 Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
- Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Юзеева Н.А.
- в сборнике 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», тезисы докладов, тезисы, с. 52-53
-
- 2014 SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
- Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A.
- в сборнике 27th International Conference on Low Temperature Physics, Buenos Aires, Argentina, Abstracts book, место издания Buenos Aires, Argentina, тезисы, с. 38-38
-
- 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP
- Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Васильевский И.С.
- в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 183
- редакторы Богданович Б.Ю., Голотюк Олег Николаевич, Диденко Андрей Николаевич, Стриханов М.Н.
-
- 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
- Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
- в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 202-202
- редактор Голотюк Олег Николаевич
-
- 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
- Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- в сборнике Book of abstracts of International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T 2012), место издания Paris, France, тезисы, с. 73
-
- 2012 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
- Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А.
- в сборнике Тезисы докладов 36 Совещания по физики низких температур, 2-6 июля 2012 г., С. Петербург, место издания С. Петербург, тезисы, с. 184-185
-
- 2011 Подвижности электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP
- Овешников Л.Н., Юзеева Н.А., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
- в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 122
-
- 2011 Эффективная масса электронов в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP
- Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Юзеева Н.А.
- в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 124
-
- 2011 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs
- Васильевский И.С., Пономарев Д.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
- в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 50-51
-
- 2011 Electron mobility and persistent photoconductivity in quantum wells In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP substrate
- Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- в сборнике International conference on materials for advanced technologies – ICMAT2011, 26 June – 1 July 2011, Singapore, Symposium H - Nanodevices and Nanofabrication, место издания Singapore, тезисы, с. 68
-
- 2010 Influence of surface and doping on electron transport in PHEMT structures on GaAs substrate with quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAs
- Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Klochkov A.N., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- в сборнике Fundamentals of electronic nanosystems - NanoПитер2010, Program and abstracts, место издания Ioffe Physico-Technical Institute St. Petersburg, тезисы, с. 52-55
-
- 2010 Взаимосвязь морфологии поверхности, электрофизических свойств и конструкции эпитаксиальных метаморфных гетероструктур с содержанием InAs в активном слое 75-100%
- Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кванин А.Л., Кульбачинский В.А., Пушкарев С.С., Пушкин М.А., Юзеева Н.А.
- в сборнике Сборник аннотаций работ, VIII Курчатовская Молодежная научная Школа, 22-25 ноября 2010 г., Москва, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 136
-
- 2010 Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
- Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
- в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
-
- 2010 Электронный транспорт в модулированно-легированных квантовых ямах и слоях InAs на основе метаморфных наногетероструктур
- Пушкарев С.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
- в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 26-29
-
- 2008 Влияние Cr на магнитные, гальваномагнитные и термоэлектрические свойства монокристаллов Sb2Te3
- Юзеева Н.А., Тарасов П.М., Кульбачинский В.А.
- в сборнике Материалы конференции ВНКСФ-14, 26 марта-3 апреля 2008 г., Уфа, место издания Уфа, тезисы, с. 297-298
-
- 2007 Термоэлектрические свойства и поверхность Ферми монокристаллов р-Bi1-xSbx)2Te3
- Кульбачинский В.А., Тарасов П.М., Кытин В.Г., Юзеева Н.А.
- в сборнике VIII Российская конференция по физике полупроводников, Тезисы докладов, Екатеринбург, 30 сентября — 5 октября 2007 г, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 54
-
- 2007 Влияние Ga на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова-де Гааза смешанных кристаллов (Bi0.5Sb0.5)2Te3
- Юзеева Н.А., Тарасов П.М., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г.
- в сборнике Материалы конференции ВНКСФ-13, 20-26 апреля 2007г., Ростов-на-Дону – Таганрог, место издания Институт Физки Металлов УРО РАН Екатеринбург, тезисы, с. 345-346
Книги
- 2012 Advances in NANODEVICES AND NANOFABRICATION
- Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- место издания Pan Stanford Publishing Pte. Ltd Singapore Singapore, ISBN 978-981-4364-54-6, 10 с.
Доклады на научных конференциях
-
- 2015 Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале (Устный)
- Авторы: Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С.
- XII Российская конференция по физике полупроводников, Москва, Ершово, Russia, 20-25 сентября 2015
-
- 2015 Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In (Стендовый)
- Авторы: Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
- XXXVII Совещание по физике низких температур, Казань, Russia, 29 июня - 3 июля 2015
-
- 2014 Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
- Авторы: Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Климов Е.А., Галиев Г.Б., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
- XII Курчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, Russia, 28-31 октября 2014
-
- 2014 Особенности транспорта в метаморфных HEMT-структурах на подложках GaAs
- Авторы: Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А.
- XII Курчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, Russia, 28-31 октября 2014
-
- 2014 SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A.
- 27th International Conference on Low Temperature Physics, Argentina, Buenos Aires, Argentina, 2014
-
- 2014 Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., and Maltsev P.P.
- 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, Saint Petersburg, June23-27, 2014
-
- 2014 Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
- Авторы: Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Юзеева Н.А.
- 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва, НИЯУ-МИФИ, Russia, 2014
-
- 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP (Устный)
- Авторы: Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Васильевский И.С.
- НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013, Москва, Russia, 1-6 февраля 2013
-
- 2012 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
- Авторы: Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А.
- 36-е Совещание по физике низких температур, Санкт-Петербург, Россия, Russia, 2012
-
- 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- 20th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” NNovgorod, Нижний Новгород, Russia, 26 июня - 1 июля 2012
-
- 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой (Устный)
- Авторы: Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., КульбачинскийВ А., Юзеева Н.А.
- Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Russia, 2012
Диссертации
-
- 2013 Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
- Кандидатская диссертация по специальности 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физ.-мат. науки)
- Автор: Юзеева Н.А.
- Научный руководитель: Кульбачинский В.А., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
- Защищена в совете Д 212.131.02 при Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики"
- Организация, в которой выполнялась работа: ИСВЧ ПЭ РАН